納米晶抗干擾材料納米晶屏蔽片納米晶隔磁片納米晶吸波材料FPC觸控屏無線充專用納米晶材料

納米晶吸波材料，厚度0.03mm超薄，導磁率30000u,是一款高導磁率的高級屏蔽材料，卷材寬40 60 70，卷材，長2000M

隨著通信技術及電子技術的快速發展，手機等眾多智能終端設備實現了無線充電及快捷支付等功能。對于智能手機而言，更加輕便且功能全面則更加容易受到消費者的青睞，以手機接收端為例，目前市場已經出現用非晶納米晶作為磁屏蔽片，將WPC，NFC、E-PAY等功能集成在一起的一體化屏蔽方案，進而簡化設計方式，降低整機厚度。

但是在實際使用的過程中，屏蔽片不僅起到隔離磁場的作用，對NFC功能的諧振頻點也存在較大的影響，并且，屏蔽片越接近于NFC天線，磁導率越高，諧振頻率越趨于低頻。為了不斷降低屏蔽片的厚度，磁導率必須做高，而屏蔽片又緊貼天線，導致NFC異常敏感，進而失效。

發明內容

為此，本發明的目的在于提供一種在滿足使用所需充電效率條件下，降低屏蔽片近NFC天線側敏感度的磁屏蔽片迭片結構。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的。

一種應用于無線充電和NFC一體化的磁屏蔽片迭片結構，設置于NFC天線下方，所述磁屏蔽片迭片結構包括至少兩層迭加的屏蔽片，且所述屏蔽片的磁導率由靠近NFC天線的一側逐漸向遠離NFC天線的一側以8％40％的比例增加。

進一步地，所述任意相鄰屏蔽片之間通過雙面膠粘接在一起。

請參閱圖1所示，圖1為本發明屏蔽片的迭片結構示意圖。該迭片結構主要包括如下幾個部分：離型膜1、雙面膠2、保護膜3和屏蔽片4。離型膜1位于 上層，保護膜3位于 下層，屏蔽片4包括有五層，其分別從上向下依次為N-1、N-2、N-3、N-4和N-5，其中N-1到N-5的磁導率逐漸增加。

其中N-1與離型膜1之間、N-5與保護膜3之間以及任意相鄰的兩屏蔽片4(N-1與N-2、N-2與N-3、N-3與N-4、N-4與N-5)之間分別通過雙面膠2粘接在一起。

需要說明的是，本實施例中的屏蔽片4可以是全部是非晶納米晶屏蔽片；也可以全部都是鐵氧體屏蔽片；也可以是由非晶納米晶屏蔽片與鐵氧體屏蔽片組合而成的結構，但是都需要保證低導磁的屏蔽片靠近NFC天線，高導磁的屏蔽片遠離NFC天線。

如圖2所示，圖2為本發明非晶屏蔽片實物圖。本實施例以非晶納米晶屏蔽片為例，其對應的實物照片參照圖2所示。

如圖3所示，圖3為本發明不同工藝下的屏蔽片表層顯微結構。本實施例中的屏蔽片為非晶納米晶，其對應由五種工藝制成，其對應的顯微結構見圖3中N-1，N-2，N-3，N-4，N-5。

由圖3中照片可以看出各工藝下非晶納米晶屏蔽片的破碎程度存在明顯的差異。

本實施例將以這五種不同工藝制成的非晶納米晶屏蔽片按照圖1的迭片結構進行迭加，采用表1的各種迭片方式進行測試，以選擇出 要求的迭加方案。